2024年09月20日
星期五
近日，安徽大学物质科学与信息技术研究院李亮教授课题组在二维材料电子器件领域取得最新研究进展，研究成果“Broken-Gap PtS2/WSe2 van der Waals Heterojunction with Ultrahigh Reverse Rectification and Fast Photoresponse”发表在顶级期刊《ACS Nano》上，并被选为封面论文。安徽大学物质科学与信息技术研究院为论文第一通讯单位，2018级硕士研究生檀朝阳为文章的第一作者，安徽大学李亮教授、华中科技大学翟天佑教授、中科院合肥物质科学研究院杜海峰教授为共同通讯作者。
近年来，二维半导体材料由于其丰富的层数依赖的物理性质以及在电子器件、光电子器件领域的应用前景，受到了科研界广泛的关注。裂隙式排布由于异质结间的能带突变，更易形成电子遂穿，可以用来设计高速、低功耗器件。目前文献报道的第三类异质结器件大多是以黑磷（BP）或SnSe2作为基础材料设计的，具有不稳定性、迁移率和较小的导带偏移，难以同时获得大的整流比和开关比。
针对上述问题，该课题组选取高迁移率、高稳定性的窄带隙二维材料PtS2作为有效的载流子选择性接触，成功制备了具有双边积累区域设计和大能带偏移的破缺带隙范德瓦尔斯异质结PtS2/WSe2，室温的反向超高整流比接近108，电流开关比超过108。研究还发现，这种隧穿异质二极管表现出出色的光电探测性能，由于超低的暗电流而具有超过105的大光电流开关比。在自驱动模式下，器件更是表现出1.37 × 1012 Jones的高光电探测率。此外，由于光诱导隧穿机制和双边积累区域设计，大大降低了界面俘获效应，使得光电探测器的响应时间达到8 μs。该项成果不仅展示了高性能的破缺带隙异质结PtS2/WSe2隧穿光电二极管，并进一步揭示了隧穿机制在未来电子器件中的重要运用。
文章链接: https://doi.org/10.1021/acsnano.0c09593
新闻链接：http://www.ahu.edu.cn/2021/0311/c15059a255066/page.htm
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